贝尔实验室1967年开创浮栅MOSFET闪存之先河

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浮栅MOSFET，可以把电子牢牢关在基板和金属浮栅极之间的一片小小导体中。这种结构，是NAND闪存的基础。

浮栅MOSFET的栅极是电绝缘的，从而在直流电中产生浮动节点。

在浮栅（floATIng gate）上方以沉积方式构造多个次级栅极或输入电极，与浮栅绝缘。这些输入与浮栅仅有电容耦合连接。由于浮栅完全被高电阻材料包围，因此其中包含的电荷量会长时间保持不变。通常使用Fowler-Nordheim隧穿和热载流子注入机制来修改存储在浮栅中的电荷量。

在今天的电脑、手机、存储卡、洗衣机、微波炉，甚至门禁卡、交通卡中，NAND闪存无处不在。