台积电N3工艺SRAM密度仅略有提升：与N5节点相似，未来展望备受期待

台积电 N3 工艺节点的 SRAM 密度和 N5 工艺节点基本相同。台积电在近日举办的 2023 技术研讨会上，展示了关于 N3 节点阵容的更多信息。研讨会上的幻灯片显示，显示 N3 工艺虽然改进了逻辑密度（logic density），但是 SRAM 密度基本相同。

从最近几年芯片缩微化来看，SRAM 密度明显要慢于芯片逻辑密度，也必然对未来更先进的芯片工艺进展带来更大的挑战。

台积电最初声称 N3B SRAM 密度比 N5 工艺高 20%，而最新信息显示，SRAM 密度仅提升 5% 。

SRAM 是处理器晶体管等成本的大头，在没有密度改善的情况下，无疑会推高 N3B 的制造成本。