美国内存芯片独角兽将投入150亿美元打造首家工厂

9 月 2 日消息，美国当地时间周四，美光宣布将在未来 10 年投资约 150 亿美元，在爱达荷州博伊西新建一家内存芯片制造工厂。

美光表示，这将是 20 年来在美国本土新建的首家内存芯片制造厂，也是爱达荷州有史以来最大的私人投资项目。该公司预计，这项投资计划将在 2030 年前总共创造 1.7 万个就业机会，其中该公司将直接创造 2000 个岗位。

美光在新闻稿中称，这项投资确保了 DRAM（动态随机存取存储器）和 NAND 闪存的美国国产化。此前，这类芯片大部分产自亚洲。新设施生产的内存将用于汽车、数据中心、人工智能（AI）和 5G 等领域。

这项投资决定是在美国总统乔・拜登（Joe Biden）签署《芯片法案》之后做出的，美光称爱达荷州提供的激励措施也发挥了重要作用。

美光首席执行官桑贾伊・梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）表示：“我们新的尖端内存芯片制造工厂将推动美国争取技术领先地位，确保可靠的国内半导体供应，这对经济和国家安全至关重要。”

拜登总统在声明中说：“美光此举代表着美国的又一大胜利，我们将在美国制造电动汽车、芯片、光纤和其他关键部件。”

美光没有提供新工厂产能或将生产的芯片类型等细节。此次扩张正值美光因需求疲软而下调其第四季度营收预期之际，其竞争对手同行希捷也大幅下调了第一财季的预期。

市场研究机构 Summit Insights Group 分析师 Kinngai Chan 表示：“美光正在按照美国政府希望的方式行事，那就是在美国建造制造工厂。”

美光计划在 2030 年前投资 400 亿美元，分多个阶段在美国建设制造设施，以支持其在美国弗吉尼亚州、日本、新加坡等地的工厂。这项计划估计总共可创造 4 万个就业机会。