美光宣布将推迟EUV光刻1γ nm DRAM技术至未来

12月23日美光最新消息，美光1γ nm 制程技术 DRAM 推迟到 2025 年，周三的时候美国最大存储芯片制造商美光科技宣布，美光将在 2023 年裁员大约 10%，并停发奖金。这再次表明，科技行业的增长放缓正在影响就业。

作为减少资本支出的一部分，消息称美光将使用 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 推迟到 2025 年，232 层之后的 NAND 节点也被推迟。

美光 1γ 制造技术中原定于 2024 年的某个时候推出，但因为美光必须在 2023 和 2024 财年减少新设备的支出，并减少 DRAM bit 出货量，它将不得不放慢 DRAM 在其 1β 和 1γ 制造技术上的增长速度。

该公司最新的 1β 制造节点 —— bit 密度提高了 35%，电源效率提高了 15%，不过这一技术依然依赖于深紫外线（DUV ）光刻技术。

相比之下，三星和 SK 海力士已经在其第 4 代 10nm 级存储技术（1α、1-alpha）中的多个层使用 EUV 光刻技术，并计划进一步强化其在第 5 代 10nm 级 DRAM 节点中的使用。

“鉴于我们决定放慢 1β（1-Beta）DRAM 的生产速度，我们预计我们的 1γ（1-gamma）技术将在 2025 年推出，”美光称 “同样，我们将推迟 232 层 3D NAND 存储器以外的下一个 NAND 节点， 以适应新的需求前景和所需的供应增长。”